• 肖特基二极管能替换整流二极管吗？
• 肖特基二极管以其低正向压降和快速的开关速度而闻名，通常在0.3到0.4伏特之间。这种低压降特性使得肖特基二极管在高频和低压应用中非常有效，能够提高整体电路的能效和响应速度。然而，肖特基二极管的主要缺点是它的逆向漏电流较大，尤其在高温下更为显著，同时逆向耐压较低。整流二极管：传统的整流二极管（如硅二极管）具有较高的正向压降（通常在0.7到1.1伏特之间），相比之下，它们具备更高的逆向耐压和更低的漏电流。这使得整流二极管在需要高电压和稳定性的应用中更为适用，如电源转换器和汽车电子中的高压电路。替换的可行性和考虑因素1.电压要求：肖特基二极管的逆向耐压通常不如整流二极管，这限制了它们在高电压应用中...
• 所属专栏： MDD辰达半导体 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2024-04-22 15:07:00

• 肖特基二极管的导电特性是什么？
• 肖特基二极管，与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管具有独特的导电特性，包括低正向压降、高切换速度和低反向恢复时间等。那么，肖特基二极管的导电性是什么？1.结构和工作原理肖特基二极管由一个金属与一个半导体材料（通常是N型）形成金属-半导体（MS）结。与传统PN结二极管不同，肖特基二极管的导电机制主要是通过电子的多数载流子传输实现的。当正向偏压施加时，金属侧的电子越过势垒注入到半导体中，从而导致导电。2.低正向压降肖特基二极管的最显著特点之一是其低正向压降。通常，肖特基二极管的正向压降约为0.2至0.3伏，远低于PN结二极管的0.7伏左右。这种低压降特性是由于其MS结构产生的势垒较低所致，这意...
• 所属专栏： MDD辰达半导体 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2024-01-31 09:43:00

• 肖特基二极管的正负极怎么判断？
• 肖特基二极管因其低正向压降和快速切换特性，在电源设计、高频电路及其他需要快速整流的应用中非常普遍，正确识别肖特基二极管的正负极对于保证电路的正确连接和功能至关重要。1.标记识别肖特基二极管通常会在其外壳上有明显的标记来区分阳极（Anode）和阴极（Cathode）。这些标记可能是字母、符号或颜色条带。例如，许多肖特基二极管在阴极端会有一个或多个环形条带（通常是银色或黑色），而阳极端则没有这样的标记。2.数据手册查询对于任何电子元件，查询其数据手册是获取准确信息的最佳途径。肖特基二极管的数据手册通常会提供封装细节，包括用于识别阳极和阴极的标记。有时，它们还提供封装图和引脚配置图，可以清晰地显示...
• 所属专栏： MDD辰达半导体 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2024-01-29 10:09:00

• 肖特基二极管在5G基站的作用有哪些？
• 肖特二极管在5G基站的应用电路中很常见，肖特基二极管在5G基站的作用有哪些？肖特基二极管，又称为肖特基势垒二极管，是一种由金属和半导体材料构成的二极管。相比于常规的整流二极管，肖特基二极管具有更快的开关速度和较低的正向电压降。这使得它在高频应用中表现出色，成为5G基站中不可或缺的组成部分。肖特基二极管在5G基站中的一个关键作用是功率放大。在5G通信系统中，需要使用射频（RF）功率放大器来增强信号的强度，以确保信号能够覆盖更大的范围。肖特基二极管因其高速开关和低正向电压降的特性，适用于高频功率放大器的设计。它能够有效地提高信号的放大倍数，从而增强信号的传输能力。肖特基二极管在5G基站中还用于混...
• 所属专栏： MDD辰达半导体 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2024-01-15 09:31:00

• 肖特基二极管在储能应用有哪些作用？
• 肖特基二极管在储能应用中的电特性使其成为能效高、寿命长的理想选择，肖特基二极管在储能领域中提高系统性能和可靠性方面的作用。肖特基二极管在储能系统中的一个关键作用是防止电池的反向放电。在一些应用场景中，储能系统需要保持电荷状态，以便在需要时释放能量。肖特基二极管的单向导电特性可以有效地阻止电流的逆流，从而防止电池的放电，确保系统能够高效地存储能量。肖特基二极管在储能系统的整流电路中发挥着重要作用。由于肖特基二极管具有低漏电流和快速开关特性，它们可以用于提高整流效率。在充电和放电过程中，肖特基二极管的低漏电流减小了能量损失，而其快速开关特性有助于减小开关损耗，从而提高系统的整体效率。肖特基二极管...
• 所属专栏： MDD辰达半导体 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2024-01-05 10:03:00

• SS14肖特基二极管结构及不同型号区别
• 肖特基二极管结构具有较低的串联电阻和较强的非线性，适用于射频电路。在一些金属和N型半导体材料接触后，电子将从N型半导体物质扩散到金属中，从而在半导体材料中形成耗尽层，该耗尽层具有类似于常规PN结的特性。这种由金属和半导体材料接触形成的类似于PN结势垒的结构称为肖特基结。当施加正和正偏置电压(阳极金属连接到电源的正极，N型衬底连接到电源负极)时，肖特基势垒层变窄，内部电阻降低。如果在肖特基势垒的两端施加反向偏置电压，则肖特基势垒层变宽，其内部电阻变大。SS14、SS24和SS34之间的唯一区别是最大正向整流电流，SS14为1A，SS24为2A，SS34为3A。这三种肖特基二极管的具体参数如下：...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-09-14 09:42:00

• 肖特基二极管沟槽工艺与平面工艺的区别
• MDD品牌平面肖特基二极管具有优异的高频特性和较低的正向开启电压,这些独特的性质使得其在太阳能电池,开关电源、汽车以及手机等多个领域都有着巨大的应用潜力。但是,在反向偏压下,镜像力导致的势垒降低效应,导致了平面肖特基二极管阻断能力差的缺点。TMBS结构的出现很好地解决这个问题,其主要有两个肖特基二极管结相结合的双势垒金属肖特基结二极管器件、利用PN结与肖特基结结合的含PN结构的肖特基二极管,以及利用金属-氧化物-半导体结构和肖特基结结合的沟槽式势垒肖特基二极管(TMBS),并且TMBS由于优异的高频特性及结构参数的易调性,受到了更为广泛的关注。沟槽芯片优势，具有较低的动态内阻、VF与IR的易...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-06-07 10:03:00

• MDD肖特基二极管不同封装的功能有哪些？
• MDD肖特基二极管封装有哪些？肖特基二极管在电子电路中起到关键的作用，那么，肖特基二极管不同封装有哪些功能呢？肖特基二极管分贴片和插件这两种类别，一种是常见三个脚的肖特基二极管，印字是“例：MBR20100FCT”;第二种是贴片肖特基二极管，贴片肖特基二极管的印字多数是用型号来做印字的。肖特基二极管是属于一种低功耗、超高速、反向恢复时间短的二极管，所以肖特基二极管的用途有很多种，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管等使用。一般在通信电源、变频器等中比较常见，常用的封装形式有：TO-220AB、ITO-220AB、TO-247...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-04-13 09:58:00

• SIC肖特基二极管常见的问题有哪些？
• 肖特基二极管在电路使用中会出现哪些问题？应该如何判断？1.硅和锗肖特基二极管有什么区别？硅和锗之间的主要区别在于锗具有电子，但硅没有任何电子。硅和锗都属于元素周期表的同一族（第14族）。因此，它们在外部能级中有四个电子。2.硅和锗有什么区别？硅和锗具有四个价电子，但在给定温度下，锗将具有比硅更多的自由电子和更高的电导率。硅在电子设备中的应用比锗更广泛，因为它可以在更高的温度下使用。3.硅和锗晶体管有什么区别？为了回答您的实际问题，硅和锗晶体管之间存在两个显着差异：锗的熔点低，而锗晶体管对高温的耐受性要小得多。锗结的正向电压降低于硅。4.为什么硅二极管比锗二极管好？锗晶体的结构会在更高的温度下...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-04-08 10:23:00

• 如何选用合适的肖特基二极管？
• 如何选用合适的肖特基二极管？在选择合适的肖特基之前，必须对肖特基二极管有一个深入的了解。肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。与普通的二极管不一样，SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。热载流子，是指比零电场下的载流子具有更高平均动能的载流子。肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 二极管 肖特基二极管 发帖人：廣東時科微 发帖时间：2019-01-21 14:35:00